还在寻找一颗能轻松搞定低侧开关或电源管理的微型MOSFET吗?ZXM61P02FTC就是您的理想答案。这颗P沟道MOSFET拥有20V耐压和900mA的电流处理能力,凭借其低至1.5V的阈值电压和仅需2.7V即可高效驱动的特性,让您能在电池供电的便携设备中轻松实现高效的功率控制。
它采用超小的SOT-23-3封装,为您节省宝贵的PCB空间,而其低导通电阻和快速开关特性,则能显著降低系统功耗与发热,提升整体能效。无论是用于负载开关、电平转换,还是电机驱动,它都能让您的设计更紧凑、运行更高效、性能更可靠。
- 型号:ZXM61P02FTC
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):600 毫欧 @ 610mA,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3.5 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):150 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- ZXM61P02FTC,Diodes产品一站式供应商。