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您是否正在寻找一颗能大幅提升电路效率的“能量开关”？ZXM62N03E6TA正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和3.2A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的110毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用微型的SOT-23-6封装，非常适合空间紧凑的便携式电子产品。其优异的开关特性（栅极电荷仅9.6nC）让您能轻松实现高速切换，提升DC-DC转换器等应用的效率。简而言之，它能让您以更小的空间占用和更优的成本，获得高效、可靠的功率开关解决方案，是智能化、小型化设计的理想选择。

• 制造商产品型号：ZXM62N03E6TA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.2A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 2.2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：380pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-6
• ZXM62N03E6TA，Diodes产品一站式供应商。