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还在为寻找一颗小巧又强力的MOSFET而费神吗？ZXM64N02XTA正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的漏源电压和5.4A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅40毫欧@4.5V Vgs），能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源管理或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的MOSFET技术，具备快速的开关速度和低栅极电荷，让您轻松实现高效率的功率转换。紧凑的8-MSOP表面贴装封装，完美适配高密度电路板设计，帮助您节省宝贵的空间。无论是用于便携设备的负载开关，还是微型电机的精准驱动，ZXM64N02XTA都能以稳定的性能和可靠的品质，助您轻松提升终端产品的整体竞争力。

• 型号:ZXM64N02XTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 3.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118\\
• ZXM64N02XTA，Diodes产品一站式供应商。