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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又小巧的“核心开关”吗？ZXM64N035GTA正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有35V耐压和强劲的6.7A（Tc）电流处理能力，其超低的导通电阻（典型值50毫欧）能显著减少导通损耗，让您的产品效率飙升，发热量大幅降低。

得益于SOT-223封装优异的散热特性，它能让您在紧凑的PCB空间内实现高达2W的功率耗散，轻松应对高密度设计挑战。无论是快速开关的DC-DC电路，还是电机驱动中的脉冲控制，其优化的栅极特性都能让您实现更迅捷、更干净的开关动作，从而提升整个系统的响应速度与能效表现。

• 型号:ZXM64N035GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:35 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta），6.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXM64N035GTA，Diodes产品一站式供应商。