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您正在为寻找一颗能兼顾性能、效率与可靠性的P沟道MOSFET而烦恼吗？ZXM64P035L3正是为您而来的解决方案。这颗芯片能轻松驾驭高达35V的电压和12A的峰值电流，其超低的导通电阻（典型值75毫欧）意味着它能以极高的效率进行功率切换，显著减少能量损耗和发热，让您的电源管理或电机驱动设计运行得更冷静、更持久。

凭借其优化的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），ZXM64P035L3能让您在各种严苛的应用环境中游刃有余，无论是工业控制、消费电子还是汽车辅助系统。它采用坚固的TO-220封装，散热性能优异，确保长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与可靠并重的强大内核。

• 型号:ZXM64P035L3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 35V 3.3A/12A TO220-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:35 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta），12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:825 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• ZXM64P035L3，Diodes产品一站式供应商。