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还在寻找一颗能兼顾高性能与易用性的P沟道MOSFET吗？ZXM66P02N8TC就是您的理想解决方案。它专为提升您的系统能效而生，凭借仅25毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能轻松处理高达6.4A的连续电流，并支持低至2.5V的驱动电压，让您能够无缝对接现代低压微控制器，简化电路设计。其优化的开关特性帮助您实现高效、快速的功率切换，无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，都能让您的产品性能脱颖而出。

• 型号:ZXM66P02N8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2068 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• ZXM66P02N8TC，Diodes产品一站式供应商。