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还在为寻找一颗能同时驱动N沟道和P沟道负载的紧凑型解决方案而费神吗？ZXMC10A816N8TC正是您期待的答案。这颗MOSFET阵列将高性能的N和P沟道MOSFET集成于单一的8-SOIC封装中，为您提供高达100V的耐压和2A的连续电流处理能力。

它能让您轻松实现H桥电机驱动、电源路径切换、负载开关等关键功能。其逻辑电平门控和低至230毫欧的导通电阻，意味着您可以直接用微控制器驱动，并获得极高的转换效率，显著降低系统功耗和发热。选择它，就是选择了一种更简洁、更高效、更可靠的设计方式，助您快速将创意转化为成熟产品。

• 型号:ZXMC10A816N8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:497pF @ 50V，717pF @ 50V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMC10A816N8TC，Diodes产品一站式供应商。