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还在为电路板空间紧张和驱动设计复杂而头疼吗？让ZXMC3A17DN8TC为您化繁为简！这颗集成了N沟道与P沟道MOSFET的阵列芯片，是您实现高效功率切换的得力助手。它采用逻辑电平门驱动，可直接由微控制器轻松控制，省去繁琐的电平转换电路，让您的设计更紧凑、更高效。

凭借30V的耐压、最高4.1A的电流承载能力以及低至50毫欧的导通电阻，它能显著降低开关损耗和发热，提升系统整体能效。无论是用于电机驱动、电源路径管理还是负载开关，它都能让您的产品运行更稳定、性能更出色。选择它，就是选择了一条通往更优设计、更高可靠性的捷径。

• 型号:ZXMC3A17DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.1A，3.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMC3A17DN8TC，Diodes产品一站式供应商。