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还在为复杂的双MOSFET布局和选型头疼吗？ZXMD63C03XTC为您提供了一个集成化的高效答案。这颗芯片将N沟道和P沟道MOSFET巧妙地集成在一个微小的8-MSOP封装内，能直接由低压逻辑信号（低至1V阈值）轻松驱动，让您彻底告别额外驱动电路，简化设计，节省宝贵的PCB空间。

它专为高效开关而优化，拥有低至135毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，这意味着更低的功率损耗和更快的开关速度。无论是用于便携设备的电源路径管理、电机驱动中的H桥配置，还是作为通用的负载开关，它都能让您的系统运行得更凉爽、更高效、更可靠。选择ZXMD63C03XTC，就是选择用一颗芯片解决双重挑战，轻松实现更紧凑、更节能的卓越设计。

• 型号:ZXMD63C03XTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:135 毫欧 @ 1.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.04W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 供应商器件封装:8-MSOP
• ZXMD63C03XTC，Diodes产品一站式供应商。