我们为全球各个行业提供Diodes ZXMHC10A07T8TA现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为搭建H桥电路而组合多个分立MOSFET吗？ZXMHC10A07T8TA为您提供了一站式的高效解决方案。这颗芯片内部集成了2个N通道和2个P通道MOSFET，直接构成了一个完整的H桥，让您能够轻松驱动小型直流电机或执行其他双向负载控制任务。

凭借100V的耐压和最高1A的连续电流能力，它让您的设计拥有充足的余量和可靠性。其低至700毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，意味着更低的功耗和更快的开关速度，从而让您的系统运行更高效、控制更精准。采用紧凑的SOT-223-8封装，它能帮助您大幅节省电路板空间，简化布局，加速产品上市进程。

• 型号:ZXMHC10A07T8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SM8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V SM8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A，800mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:138pF @ 60V，141pF @ 50V
• 功率 - 最大值:1.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-223-8
• 供应商器件封装:SM8
• ZXMHC10A07T8TA，Diodes产品一站式供应商。