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ZXMHC3A01T8TA 零件图片(仅供参考)

ZXMHC3A01T8TA
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ZXMHC3A01T8TA 规格参数

还在为寻找一颗能同时驱动双向负载的紧凑型芯片而四处寻觅吗?ZXMHC3A01T8TA正是您期待的答案。这颗高度集成的MOSFET阵列,内部集成了完整的H桥电路(2个N通道和2个P通道),让您无需再使用多颗分立MOSFET进行复杂搭建,即可轻松实现电机的正反转、刹车等精密控制。

它专为逻辑电平(低至3V)设计,兼容性极佳,能直接与您的微控制器对话。凭借高达2.7A的驱动电流和仅120毫欧的低导通电阻,它能高效驱动小型直流电机、步进电机线圈或继电器等负载,显著降低功耗与发热。其SOT-223-8的超小型封装,为您节省宝贵的电路板空间,让设计更简洁,生产更高效。

  • 型号:ZXMHC3A01T8TA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SM8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:最后售卖
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N 和 2 P 沟道(全桥)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A,2A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):190pF @ 25V,204pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.3W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-223-8
  • 供应商器件封装:SM8
  • ZXMHC3A01T8TA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXMHC3A01T8TA 基本参数:

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