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还在为驱动电路占用大量板面空间而烦恼吗？ZXMHC3F381N8TC为您提供一站式解决方案！这颗高度集成的MOSFET阵列，内部集成了两个N通道和两个P通道MOSFET，构成一个完整的H桥。这意味着您只需一颗芯片，就能轻松实现电机的正反转、刹车等复杂控制，极大简化了外围电路设计，让您的PCB布局瞬间清爽。

它专为高效驱动而优化。凭借逻辑电平门控和低至33毫欧的导通电阻，您可以直接用微处理器驱动，同时显著降低导通损耗和发热。无论是驱动小型直流电机、步进电机，还是作为高效的负载开关，它都能让您的系统运行更凉爽、更节能。其坚固的设计支持30V电压和近4A电流，工作温度范围宽广，是追求可靠性与性能的您的理想选择。

• 型号:ZXMHC3F381N8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.98A，3.36A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:430pF @ 15V，670pF @ 15V
• 功率 - 最大值:870mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMHC3F381N8TC，Diodes产品一站式供应商。