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还在寻找一颗能扛起高压重任又易于集成的MOSFET吗？ZXMN0545FFTA正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有高达450V的耐压能力，让您在设计AC-DC电源、LED驱动或各种离线式开关应用时信心十足，轻松应对高压挑战。

它采用先进的MOSFET技术和表面贴装型SOT23F-3封装，不仅提供了高效的开关性能，更能让您的PCB布局更加紧凑、灵活。高达1.5W的功率处理能力，确保了其在工作中的稳定与可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份高效、省心的动力核心。

• 型号:ZXMN0545FFTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23F
• 封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线
• ZXMN0545FFTA，Diodes产品一站式供应商。