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还在为复杂的双路开关设计而烦恼？ZXMN10A08DN8TA为您提供一站式高效解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个逻辑电平驱动的100V开关，让您仅用一颗芯片就能轻松控制两路负载，大幅简化电路布局，提升设计自由度。

它拥有低至250毫欧的导通电阻和仅7.7nC的栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，能显著提升您的电源转换效率或电机驱动响应。采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，非常适合空间受限的现代电子设备，让您的产品在性能和体积上都更具竞争力。

• 型号:ZXMN10A08DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405pF @ 50V
• 功率 - 最大值:1.25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN10A08DN8TA，Diodes产品一站式供应商。