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您正在寻找一颗能轻松驾驭低压、中等电流开关任务的核心器件吗？ZXMN2F34MATA正是您的理想之选。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有20V耐压和4A的连续电流能力，专为高效能量控制而设计。

它的魅力在于极高的驱动效率。仅需2.5V的低电压即可高效开启，让您能直接使用MCU GPIO口驱动，极大简化电路。同时，其导通电阻极低，在运行中产生的热量更少，电能损耗大幅降低，直接提升了您终端产品的能效和可靠性。无论是用于电源开关、负载切换还是电机驱动，它都能让您的设计更简洁、运行更高效、性能更稳定。

• 型号:ZXMN2F34MATA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DFN322
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:277 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.35W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DFN322
• 封装/外壳:3-PowerVDFN
• ZXMN2F34MATA，Diodes产品一站式供应商。