我们为全球各个行业提供Diodes ZXMN3A01E6TC现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时兼顾高效开关、紧凑尺寸与卓越可靠性的功率开关解决方案？ZXMN3A01E6TC正是为此而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和2.4A的连续电流能力，能轻松胜任您产品中的负载切换、电源路径管理和电机驱动等关键任务。

它的核心魅力在于极高的效率。凭借仅120毫欧的低导通电阻和低至3.9nC的栅极电荷，它能显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽，能效比大幅提升。同时，其SOT-23-6的超小封装，让您能在极其有限的空间内实现高性能布局，完美应对现代电子设备小型化的挑战。

无论是面对快速的脉冲电流，还是需要在宽广的温度范围（-55°C至150°C）内稳定工作，它都能可靠应对。选择它，就是为您的设计选择了一份高效、紧凑且坚固的保障，让产品开发事半功倍。

• 型号:ZXMN3A01E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMN3A01E6TC，Diodes产品一站式供应商。