我们为全球各个行业提供Diodes ZXMN3A01FTA现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能“以小博大”、在微型封装内实现高效功率控制的芯片吗？ZXMN3A01FTA正是您的理想之选。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和1.8A的连续电流能力，其核心价值在于高达10V驱动电压下仅120毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的便携设备更省电、运行更凉爽。

它采用极致的SOT-23-3表面贴装封装，为您节省每一毫米的电路板空间，轻松应对高密度设计挑战。同时，优异的开关特性（如低栅极电荷）让驱动变得简单高效，宽广的工作温度范围则确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的负载开关、电机控制或电源管理应用，选择了一位可靠、高效且身材小巧的“能量管家”。

• 型号:ZXMN3A01FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXMN3A01FTA，Diodes产品一站式供应商。