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ZXMN3A01FTC 零件图片(仅供参考)

ZXMN3A01FTC
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ZXMN3A01FTC 规格参数

还在为电路板上的空间捉襟见肘而头疼吗?ZXMN3A01FTC就是您的高效解决方案!这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET,采用微型SOT-23-3封装,却能稳健处理30V电压和1.8A电流,让您在有限空间内实现强大的功率控制。

它专为提升您的系统效率而生。极低的导通电阻(120mΩ)能显著减少开关损耗和发热,而快速的开关特性则让您的设备响应更迅捷。无论是用于电池供电设备的负载管理,还是电机驱动等应用,它都能让您的设计更节能、更可靠、更具竞争力。

  • 型号:ZXMN3A01FTC
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):190 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • ZXMN3A01FTC,Diodes产品一站式供应商。
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ZXMN3A01FTC 基本参数:

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