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还在为电路板空间紧张和系统效率不高而烦恼吗？ZXMN3F31DN8TA双N沟道MOSFET就是您的理想解决方案。它集成了两个高性能的MOSFET于一个紧凑的8-SOIC封装内，让您轻松实现高密度设计，同时其逻辑电平门驱动特性（Vgs(th)最大仅3V）让您能直接使用微控制器进行控制，设计变得前所未有的简单。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源管理、电机驱动或负载开关应用运行得更加高效、冷静。凭借仅24毫欧的超低导通电阻和5.7A的强劲电流能力，它能显著降低导通损耗，提升整体能效。更低的栅极电荷（仅12.9nC）确保了快速的开关响应，减少开关损耗，让您的系统反应更敏捷，性能更出众。

• 型号:ZXMN3F31DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:608pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN3F31DN8TA，Diodes产品一站式供应商。