我们为全球各个行业提供Diodes ZXMN3G32DN8TA现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的功率开关设计而耗费精力？ZXMN3G32DN8TA双N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它集成了两个逻辑电平驱动的30V MOSFET，让您能够轻松控制高达5.5A的电流，其极低的28毫欧导通电阻能显著减少功率损耗，直接提升您的系统效率和电池寿命。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电机驱动更强劲、负载开关更迅捷、电源管理更智能。凭借其快速的开关特性和紧凑的8-SOIC封装，您可以轻松实现高密度板级设计，同时确保从-55°C到150°C的宽温范围内稳定工作。选择ZXMN3G32DN8TA，就是选择用一颗芯片简化电路、提升性能，让您的产品设计事半功倍。

• 型号:ZXMN3G32DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:472pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN3G32DN8TA，Diodes产品一站式供应商。