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还在为寻找一颗既能承受高压大电流，又具备极低导通损耗的紧凑型功率开关而烦恼吗？ZXMN6A09DN8TA正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated出品的双N沟道MOSFET，拥有60V的漏源电压和4.3A的连续电流能力，其核心魅力在于低至40毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体效率，让设备运行更凉爽、更持久。

它专为逻辑电平驱动而优化，阈值电压低，让您能轻松使用3.3V或5V的微控制器直接驱动，简化外围电路设计。无论是用于电机驱动、DC-DC转换，还是作为高效的负载开关，它都能让您的设计更加简洁、性能更加卓越。选择ZXMN6A09DN8TA，就是选择了一种高效、可靠且易于实施的设计路径，助您快速将创意转化为稳定量产的产品。

• 型号:ZXMN6A09DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 8.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.2nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1407pF @ 40V
• 功率 - 最大值:1.25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN6A09DN8TA，Diodes产品一站式供应商。