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还在为寻找一颗性能强劲又可靠的功率开关而烦恼吗？让ZXMN6A09GQTA来为您排忧解难！这颗N沟道MOSFET拥有60V/5.4A的强悍规格，其超低的导通电阻能显著减少开关损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

它专为严苛环境而生，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，是汽车电子、工业控制等高端应用的理想选择。紧凑的SOT-223封装让您轻松实现高密度板级设计，同时确保良好的散热性能。选择它，就是为您的产品选择了一份坚实的性能保障与卓越的能效表现。

• 型号:ZXMN6A09GQTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 8.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1407 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN6A09GQTA，Diodes产品一站式供应商。