我们为全球各个行业提供Diodes ZXMN6A09KTC现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能轻松驾驭60V电压、高效控制近8A电流的功率开关吗？ZXMN6A09KTC正是为您而来！这颗N沟道MOSFET凭借其低至40毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电机驱动、电源转换或负载开关应用运行得更凉爽、更节能。

它拥有快速的开关响应能力（栅极电荷仅29nC），确保高效精准的控制，同时宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予产品出色的环境适应性。采用TO-252-3封装，便于您进行紧凑的电路板设计。选择ZXMN6A09KTC，就是为您的产品选择了一颗高效、可靠的心脏，让性能提升轻而易举。

• 型号:ZXMN6A09KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 7.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1426 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMN6A09KTC，Diodes产品一站式供应商。