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还在寻找一颗能兼顾高性能与设计简便性的功率开关吗？ZXMN6A10N8TA正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和7.6A的电流能力，让您在设计电机驱动、电源转换或负载开关电路时信心十足。

它采用紧凑的8-SOIC封装，能轻松融入高密度的电路板布局，大大节省您的宝贵空间。其优异的MOSFET特性旨在降低导通损耗，这意味着更少的能量浪费和更低的发热，直接助力您的产品提升整体能效和可靠性。选择它，就是选择一种高效、稳健的设计路径，让您的产品核心动力部分运行得更冷静、更持久。

• 制造商产品型号：ZXMN6A10N8TA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• ZXMN6A10N8TA，Diodes产品一站式供应商。