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还在寻找一颗能兼顾高效能与小体积的功率开关解决方案吗？ZXMN6A11ZTA正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V/2.7A的稳健规格，其核心魅力在于超低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，运行更凉爽。

它能让您轻松实现快速、干净的开关动作，提升系统响应速度。同时，其坚固的SOT-89-3封装确保了良好的散热和空间利用率，是紧凑型设计的理想选择。无论是升级现有产品还是开发全新项目，ZXMN6A11ZTA都能以卓越的性能，助您一臂之力。

• 型号:ZXMN6A11ZTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• 封装/外壳:TO-243AA
• ZXMN6A11ZTA，Diodes产品一站式供应商。