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您正在寻找一颗能轻松驾驭中小功率开关任务，同时兼顾高效率与高可靠性的MOSFET吗？ZXMN7A11GTA正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有70V的耐压和2.7A的持续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它能让您在设计DC-DC转换器、电机驱动、负载开关或LED驱动时倍感轻松。优异的开关特性（低栅极电荷）配合SOT-223封装良好的散热性能，确保系统在高频下也能稳定高效工作。选择它，就是选择了一种让产品性能脱颖而出、开发流程高效顺畅的可靠路径。

• 型号:ZXMN7A11GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 4.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:298 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN7A11GTA，Diodes产品一站式供应商。