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还在为电路板上的空间和效率发愁吗？让ZXMNS3BM832TA来为您解决！这颗小巧的N沟道MOSFET是您实现高效功率控制的秘密武器。它能在30V电压和2A电流下稳定工作，凭借低至180毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，大幅降低开关损耗和驱动需求，让您的设备运行更凉爽、响应更迅速。

无论是用于便携设备的负载开关、电机驱动，还是DC-DC转换器，它集成的肖特基二极管和紧凑的8-MLP封装都能让您的设计更简洁、更可靠。选择它，就是选择了一种轻松实现高性能与高集成度的智能方案。

• 型号:ZXMNS3BM832TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MLP（3x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:314 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MLP（3x2）
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• ZXMNS3BM832TA，Diodes产品一站式供应商。