我们为全球各个行业提供Diodes ZXMP10A18KTC现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、简化散热设计的核心开关器件？ZXMP10A18KTC正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有100V的高耐压和3.8A的强电流承载能力，其核心魅力在于10V驱动下仅150毫欧的超低导通电阻，能大幅降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对负载开关、电机控制或电池保护等应用。优异的开关特性（低栅极电荷）确保了快速的响应与更低的动态损耗，而TO-252封装则提供了出色的功率耗散能力。选择ZXMP10A18KTC，就是选择了一个经过验证的高性能、高可靠性基石，助您轻松优化设计，赢得市场先机。

• 型号:ZXMP10A18KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.17W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMP10A18KTC，Diodes产品一站式供应商。