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ZXMP2120E5TA 零件图片(仅供参考)

ZXMP2120E5TA
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ZXMP2120E5TA 规格参数

您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、小电流开关任务的可靠“守门员”吗?ZXMP2120E5TA正是为此而生!这颗P沟道MOSFET拥有高达200V的漏源电压耐受能力,让您在设计辅助电源通路、信号切换或保护电路时,面对电压波动更加从容自信。

它能在10V的驱动电压下高效导通,最大连续电流达122mA,并以仅28欧姆的导通电阻,确保开关过程中的能量损耗降至最低。其SOT-25微型封装让您轻松实现高密度板级布局,而宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)则保障了它在各种环境下的稳定表现,显著提升您终端产品的耐用性和可靠性。

  • 型号:ZXMP2120E5TA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-25
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 200V 122MA SOT25
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):122mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28 欧姆 @ 150mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):100 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):750mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-25
  • 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
  • ZXMP2120E5TA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXMP2120E5TA 基本参数:

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