还在寻找能兼顾性能与尺寸的紧凑型功率开关方案吗?ZXMP3A17DN8TA正是为您量身打造的答案。这颗双P沟道MOSFET阵列,集成了两个独立的30V/3.4A通道,让您能在极小的8-SOIC封装内,轻松实现高效的双路电源切换或电机控制。
它凭借低至70毫欧的导通电阻和快速的开关特性,能显著降低系统功耗与发热,提升整体能效。无论是用于便携设备的负载管理,还是空间紧凑的模块化设计,它都能让您的产品运行得更稳定、更高效,助您轻松应对设计挑战,抢占市场先机。
- 型号:ZXMP3A17DN8TA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:8-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):70 毫欧 @ 3.2A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.28nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):630pF @ 15V
- 功率 - 最大值:2.1W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
- ZXMP3A17DN8TA,Diodes产品一站式供应商。