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还在为空间受限的电路设计寻找一颗强劲又可靠的“心脏”吗？ZXMP3F30FHTA P沟道MOSFET正是您的理想之选！它能轻松胜任高达2.8A的电流开关任务，凭借其低至80毫欧的导通电阻，大幅减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能为您做什么？它就像一位高效精准的电力调度员。在您的便携设备、智能穿戴或电源模块中，它能实现快速、干净的负载通断，确保电能被高效利用。其卓越的电气特性（如低栅极电荷和输入电容）让开关速度更快，驱动更简单，助您轻松优化系统能效。选择它，就是为您的产品选择了一份来自Diodes Incorporated的卓越品质与稳定保障。

• 型号:ZXMP3F30FHTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXMP3F30FHTA，Diodes产品一站式供应商。