我们为全球各个行业提供Diodes ZXMP3F37N8TA现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源管理电路的效率与尺寸烦恼吗？让ZXMP3F37N8TA为您带来改变。这颗P沟道MOSFET是您实现高效负载开关和电源路径控制的秘密武器。其低至25毫欧的导通电阻能显著减少功率损耗，而6.4A的电流承载能力让您轻松驱动各类负载，无论是便携设备还是工业模块，都能获得更长的续航与更稳定的表现。

它采用紧凑的8-SO表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，同时其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下的可靠性。选择ZXMP3F37N8TA，就是选择了一种高效、紧凑且稳健的电源管理方案，让您的设计脱颖而出。

• 型号:ZXMP3F37N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1678 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• ZXMP3F37N8TA，Diodes产品一站式供应商。