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还在寻找一颗能兼顾高效能与小巧体积的P沟道MOSFET吗？ZXMP4A57E6TA正是为您而来的解决方案。它能为您做什么？核心在于以极低的导通电阻（80mΩ @10V）处理高达2.9A的电流，显著减少功率损耗和发热，让您的电源管理或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片让您轻松实现紧凑设计。其SOT-26超小封装完美适配高密度PCB布局，同时宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保了在各种环境下的可靠性与耐用性。无论是用于负载开关、电源反向保护还是电池管理，ZXMP4A57E6TA都能以卓越的性能，成为您提升产品能效和可靠性的得力助手。

• 型号:ZXMP4A57E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:833 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMP4A57E6TA，Diodes产品一站式供应商。