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ZXMP6A13GTA 零件图片(仅供参考)

ZXMP6A13GTA
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ZXMP6A13GTA 规格参数

您正在寻找一颗能简化设计、提升效率的P沟道MOSFET吗?ZXMP6A13GTA正是您的理想之选。这颗芯片能为您做什么?它就像一个高效、可靠的智能开关,轻松处理高达60V的电压和1.7A的电流,特别适合用于电源管理、负载开关和电机控制等场景。

凭借其低至390毫欧的导通电阻和快速的开关特性,它能显著降低功率损耗,让您的系统运行更凉爽、更节能。紧凑的SOT-223封装节省了宝贵的电路板空间,同时确保了良好的散热性能。选择它,让您以更简洁的设计,实现更高效、更稳定的电路性能,加速产品上市进程。

  • 型号:ZXMP6A13GTA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-223-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:最后售卖
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):390 毫欧 @ 900mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):219 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-223-3
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • ZXMP6A13GTA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXMP6A13GTA 基本参数:

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