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还在为电路板空间紧张和功率开关效率不高而烦恼吗？ZXMP6A16DN8QTA双P沟道MOSFET阵列芯片，正是您高效、紧凑设计的理想答案。它内置两个独立的逻辑电平MOSFET，让您仅用一颗芯片就能轻松控制两路负载，极大简化布局，节省宝贵空间。

这颗芯片能为您做什么？它让您以极低的导通损耗（仅85毫欧）和快速的开关性能，高效管理高达60V电压、2.9A电流的功率路径。无论是用于电源切换、电机驱动还是电池保护电路，都能显著提升系统整体能效，减少发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。

采用标准的8-SOIC表面贴装封装，兼容主流生产工艺，让您的组装轻松高效。其宽广的工作温度范围和可靠的性能，确保您的产品在各种环境下都能稳定工作，是提升产品可靠性与竞争力的智能之选。

• 型号:ZXMP6A16DN8QTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1021pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.81W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMP6A16DN8QTA，Diodes产品一站式供应商。