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您是否正在寻找一颗能够高效、可靠地控制功率通断的P沟道MOSFET？ZXMP6A17GTA正是为您而来。它能轻松胜任高达60V电压、3A电流的开关任务，其低至125毫欧的导通电阻能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片专为简化您的设计而生。优化的开关特性（如低栅极电荷）让驱动更轻松，实现快速响应；同时，其坚固的SOT-223封装确保了良好的散热和功率处理能力。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，它都能让您以更小的空间占用，获得稳定可靠的性能表现，是提升产品能效与可靠性的理想选择。

• 型号:ZXMP6A17GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:637 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMP6A17GTA，Diodes产品一站式供应商。