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还在寻找一颗能简化您的高端开关设计、同时保证高效可靠的P沟道MOSFET吗？ZXMP7A17KQTC正是您期待的答案。它能为您做什么？这颗芯片的核心使命是让您的电源管理变得前所未有的轻松高效。

凭借70V的漏源电压和3.8A的连续电流能力，它能让您在各种负载开关和电源路径控制应用中游刃有余。其极低的导通电阻（最大160毫欧@10V）意味着更少的能量损耗和发热，直接提升您产品的整体能效和可靠性。优化的开关特性（栅极电荷仅18nC）确保快速响应，减少开关损耗，让您的系统运行更安静、更稳定。

采用TO-252封装，它易于焊接和散热，非常适合空间紧凑的现代电子设计。选择ZXMP7A17KQTC，就是选择了一个性能强劲、值得信赖的合作伙伴，助您轻松攻克设计难题，加速产品上市。

• 型号:ZXMP7A17KQTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMP7A17KQTC，Diodes产品一站式供应商。