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ZXTP2008GTA 零件图片(仅供参考)

ZXTP2008GTA
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ZXTP2008GTA 规格参数

还在为开关损耗和散热问题头疼吗?ZXTP2008GTA正是为您的高效设计而来。这颗PNP功率晶体管能轻松承载高达5.5A的电流,其核心魅力在于极低的饱和压降在5.5A满负荷运行时仅产生210mV的压降,这意味着它能将更多的电能用于驱动负载,而非转化为无用的热量,直接为您提升系统整体能效。

它不仅仅省电,更能让您的系统“身手敏捷”。高达110MHz的跃迁频率确保了快速、干净的开关动作,非常适合需要高频切换的电源管理和电机控制场景。同时,其30V的耐压和宽广的-55°C至150°C工作温度范围,赋予了它出色的可靠性与环境适应性。选择ZXTP2008GTA,就是选择让您的设计更高效、更可靠、更具竞争力。

  • 型号:ZXTP2008GTA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-223-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 30V 5.5A SOT-223-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.5 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):210mV @ 500mA,5.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1A,1V
  • 功率 - 最大值:3 W
  • 频率 - 跃迁:110MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商器件封装:SOT-223-3
  • ZXTP2008GTA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXTP2008GTA 基本参数:

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