Diodes公司推出一对双N通道增强MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX，为电池充电电路提供紧凑的双向低损耗开关。新产品的目标终端市场包括智能手机Diodes芯片、单芯和双芯锂电池充电器用于平板电脑、相机和媒体播放器 。

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DMN2014LHAB及DMN2011UFX为双共吸极配置MOSFET，启动后可驱动双向电流充电或工作使用；关闭后，通过防止过度充电或过度漏电来保护电池。DMN2014LHAB及DMN2011UFX具有20V的击穿电压额定值，还分别配备少于13mΩ和9.5mΩ在正常工作下，低导电阻可以降低电池功耗。最高达80A峰值电流使开关能够在保护电路启动前简单地解决短路问题，少于1V低栅极阈值电压确保设备低至1.8V正常工作在驱动电压下。

DMN2014LHAB采用2mm x 3mm DFN2030微型封装，DMN2011UFX则采用2mm x 5mm DFN2050年包装为设计师提供了一个小的解决方案，利用节省的空间储存额外的电池，提高电池容量。

两款产品均以3000批量出货。如需了解更多产品信息，请访问:http://www.diodes.com。