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您正在寻找一颗能精准“锚定”电压的可靠伙伴吗？1N5225B-T正是这样一款专为稳压和电压参考而生的齐纳二极管。它的核心使命，就是为您提供一个稳定、精确的3V基准点，无论电路环境如何变化，都能有效抑制电压波动，确保后续电路工作的稳定与可靠。

这颗芯片能为您做什么？它能让您在电源管理、信号调理或过压保护电路中，轻松构建一个高效的稳压节点。其±5%的精密容差和低至29欧姆的动态阻抗，意味着更佳的电压精度和更快的响应速度，从而提升您整体系统的工作效率。同时，它拥有从-65°C到200°C的惊人工作温度范围，让您的设备即使面对严苛的环境挑战，也能保持性能如一，极大地增强了产品的环境适应性和可靠性。

• 型号:1N5225B-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):3 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):29 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 1 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 200°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 1N5225B-T，Diodes产品一站式供应商。