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您正在寻找一颗能完美胜任低功率开关任务的“核心开关”吗？2N7002-7-F正是这样一款为您量身打造的解决方案。它是一款N沟道MOSFET，能够轻松处理高达60V的电压和115mA的电流，让您在各种低压控制、信号切换和负载管理应用中游刃有余。

这颗芯片的核心价值在于其高效与易用性。仅需5V或10V的驱动电压，它就能实现极低的导通电阻，显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。其微小的SOT-23-3封装，让您能在紧凑的电路板上实现高密度设计，同时宽温域特性确保了从工业到消费电子各类场景下的稳定表现。选择它，就是选择了一种让设计更简单、产品更可靠的智慧。

• 型号:2N7002-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 2N7002-7-F，Diodes产品一站式供应商。