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BCM857BS-7-F 零件图片(仅供参考)

BCM857BS-7-F
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BCM857BS-7-F 规格参数

您正在寻找一种能大幅简化电路板设计、同时保证优异性能的双PNP晶体管方案吗?BCM857BS-7-F正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的晶体管阵列,将两个匹配的PNP晶体管集成于微小的SOT-363封装内,让您轻松实现信号放大、开关控制或电平转换等功能,彻底告别分立器件配对和布局的烦恼。

它拥有45V的集射极击穿电压和100mA的连续集电极电流能力,足以应对大多数低压应用场景。其高达220的直流电流增益(hFE)确保了高效的信号放大,而低至400mV的饱和压降则能有效降低功耗。无论是用于便携设备的电源管理,还是消费电子中的音频预处理,BCM857BS-7-F都能以稳定的表现,让您的设计更加高效可靠。

  • 型号:BCM857BS-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:2 PNP(双)配对
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):45V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • BCM857BS-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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BCM857BS-7-F 基本参数:

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