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还在为驱动电路的设计效率而烦恼吗？DGD21814S14-13栅极驱动器就是您的高效动力引擎。它能以高达2.3A的拉出电流和1.9A的灌入电流，快速、精准地驱动您的IGBT或MOSFET开关，显著降低开关损耗，从而让您的电机驱动、电源转换系统运行得更快、更凉、更省电。

这颗芯片为您简化了高压侧驱动的设计难题。其高达600V的自举电压和独立通道配置，让您在面对复杂半桥拓扑时也能轻松布局，确保系统安全稳定。从-40°C到150°C的宽广工作温度范围，更让它能从容应对各种严苛环境，是提升产品可靠性和耐用性的不二之选。

• 型号:DGD21814S14-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• DGD21814S14-13，Diodes产品一站式供应商。