我们为全球各个行业提供Diodes DGD2304S8-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率开关器件的驱动难题寻找答案吗？DGD2304S8-13半桥栅极驱动器就是您的高效解决方案。它能精准、强劲地驱动您的IGBT或MOSFET，凭借高达600mA/290mA的峰值输出电流和仅70ns/35ns的快速开关时间，显著降低开关损耗，让您的电机驱动、电源转换或逆变系统运行得更快、更凉、更高效。

这颗芯片能为您轻松应对严苛环境。其支持10V至20V宽范围供电，并能在-40°C到150°C的结温下稳定工作，确保系统在各种极端条件下依然可靠。采用标准的8-SOIC封装，便于您进行表面贴装设计，简化生产流程。选择DGD2304S8-13，就是选择让您的功率设计兼具高性能与高可靠性，轻松实现能效飞跃。

• 型号:DGD2304S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.7V，2.3V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2304S8-13，Diodes产品一站式供应商。