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DGTD65T15H2TF 零件图片(仅供参考)

DGTD65T15H2TF
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DGTD65T15H2TF 规格参数

还在为功率器件的效率瓶颈和散热难题烦恼吗?让DGTD65T15H2TF来为您解决!这颗来自Diodes Incorporated的650V/30A场截止型IGBT,核心使命就是让您的电源和电机驱动系统运行得更高效、更可靠。它凭借优异的电气特性,能显著降低导通与开关损耗,直接提升整机能效,同时减少热管理压力。

具体来说,它能在15A电流下将导通压降控制在仅2V左右,配合快速的开关特性(开通延迟仅19ns),确保能量转换快速且顺畅。其高达175°C的结温能力和坚固的TO-220隔离封装,让您轻松应对高功率密度设计和严苛的工作环境。选择它,就是为您的产品注入了高效与稳定的双重基因。

  • 型号:DGTD65T15H2TF
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:ITO-220AB
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT FIELD STP 650V 30A ITO220AB
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:最后售卖
  • IGBT 类型:场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
  • 功率 - 最大值:48 W
  • 开关能量:270J(导通),86J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:61 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:19ns/128ns
  • 测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):150 ns
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
  • 供应商器件封装:ITO-220AB
  • DGTD65T15H2TF,Diodes产品一站式供应商。
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DGTD65T15H2TF 基本参数:

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