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还在为复杂的双MOSFET布局和有限的电路板空间头疼吗？DMC2025UFDB-7这颗高度集成的互补型MOSFET阵列，就是为您量身打造的简化方案。它将一个高性能的N沟道和一个P沟道MOSFET封装在微小的U-DFN2020-6内，让您轻松实现高效的负载开关、电机驱动或电源路径管理，彻底告别繁琐的分立器件布局。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至25毫欧的导通电阻和高达6A的电流承载能力，显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。同时，其优异的开关特性（栅极电荷仅12.3nC）确保快速响应，提升整体动态性能。无论是智能移动设备、便携式消费电子还是IoT模块，选择它，意味着您选择了更精简的设计、更可靠的运行和更具竞争力的产品。

• 型号:DMC2025UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta），3.5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A，1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:486pF @ 10V，642pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC2025UFDB-7，Diodes产品一站式供应商。