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还在为复杂的双MOSFET布局和散热问题烦恼吗？DMC3025LNS-13为您提供了一站式的高效解决方案。这颗集成了N和P沟道的互补型MOSFET阵列，凭借低至25毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换效率大幅提升，同时减少发热，系统运行更稳定。

它采用紧凑的8-PowerVDFN封装，能为您节省宝贵的电路板空间，特别适合空间受限的便携式设备和汽车电子应用。高达7.2A的电流处理能力和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保它在各种严苛环境下都能可靠工作。选择它，就是选择让您的设计更简洁、性能更强劲、开发更高效。

• 型号:DMC3025LNS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 7.2A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta），6.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• DMC3025LNS-13，Diodes产品一站式供应商。