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您正在寻找一颗能同时驾驭N沟道和P沟道，在紧凑空间内爆发高能效的MOSFET吗？DMC3025LSDQ-13正是为您而来。这颗双通道MOSFET阵列，集卓越性能与高可靠性于一身，其低至20毫欧的导通电阻能显著降低开关损耗，让您的电源管理或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它基于汽车级（AEC-Q101）标准打造，工作结温范围宽达-55°C至150°C，无惧严苛环境挑战。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，其快速的开关特性和稳健的30V耐压能力，都能让您轻松构建出响应迅捷、运行可靠的电路。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的强劲“芯”脏。

• 型号:DMC3025LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta），4.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6nC @ 4.5V，5.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:501pF @ 15V，590pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC3025LSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。