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还在为电路板空间紧张和驱动效率不高而头疼吗？让DMC3032LSD-13来为您分忧！这颗集成了N沟道与P沟道MOSFET的阵列芯片，就像一个高效的“电能开关双雄”，能轻松帮您控制电机启停、管理电源路径。其逻辑电平门控特性让您可以直接用微控制器的信号来驱动，大大简化了您的电路设计。

得益于仅32毫欧的超低导通电阻和最高8.1A的持续电流能力，它能显著减少功率损耗，提升整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是智能小家电、便携式设备还是工业控制模块，它都能以紧凑的8-SOIC封装，为您节省宝贵的PCB空间，同时提供稳定可靠的性能表现。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与简洁。

• 型号:DMC3032LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.1A，7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:404.5pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC3032LSD-13，Diodes产品一站式供应商。