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DMC3730UVT-13 零件图片(仅供参考)

DMC3730UVT-13
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DMC3730UVT-13 规格参数

还在为复杂的双MOSFET电路布局而烦恼吗?DMC3730UVT-13为您提供了一个优雅的答案。这颗车规级互补MOSFET阵列,将N沟道和P沟道管芯集成于微型TSOT-26封装内,让您轻松实现紧凑高效的电源路径管理、信号切换或电机驱动方案。

它凭借低至450毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷,能显著降低开关损耗和驱动需求,提升系统整体能效。其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)和25V的耐压,确保您的设计在各类严苛环境下都能稳定运行。选择它,就是选择用更少的空间和更简化的设计,获得更卓越的性能与可靠性。

  • 型号:DMC3730UVT-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TSOT-26
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道互补型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):680mA(Ta),460mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V,1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):1.64nC @ 4.5V,1.1nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 10V,63pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:700mW
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商器件封装:TSOT-26
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DMC3730UVT-13 基本参数:

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